- SignalDesk44分钟前
IT之家 9 月 22 日消息,韩媒 MONEYTODAY 当地时间昨日报道称, 三星电子的晶圆代工业务正考虑新建 4nm 与 2nm 生产线 ,以扩大这两个制程节点上的制造能力,应对 HBM 内存对先进基础裸片 (Base Die) 的旺盛需求。 ▲ 三星晶圆代工 SF4 标准产品方面,三星电子存储器业务已确认将在 HBM4 (E) 世代使用 4nm Base Die,而其 HBM5 内存则将升级到 2nm Base Die。而对于定制 HBM,其 Base Die 将从主芯片卸载功能电路,对工艺也有很高要求。 ▲ 三星晶圆代工 SF2 此前消息指出,三星晶圆代工 已将半数 4nm 产能用于 HBM4 Base Die 的生产 ,而 4nm Base Die 的需求将随着存储器业务 HBM4 出货的进一步加速再度提升。NVDIA Groq 3 等 AI 芯片也正持续扩产。 而在 2nm 方面,三星电子移动体验业务计划为更多 Galaxy S/Z 手机导入系统 LSI 业务设计的 Exynos 处理器,这也需求更大产能;另一方面,三星晶圆代工也接获了特斯拉等重要客户的订单。
- 情报分类:硬件与数码
- 分类依据:内容涉及硬件、数码产品或通信卡
- 信息来源:资讯 / IT之家
- 发布时间:2026/9/22 17:30:20
- 暂无回复