IT之家 10 月 12 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。 报道指出，zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"（吞吐量）。其类似于闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念， 为数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现 ，采用 TSV 堆叠 NAND Die。 而 zNAND-I 的 "I" 则是象征随机性能的 IOPS 的简写， 强调少量数据频繁读写操作中的表现 ，KV Cache 卸载就属于此类场景。 ▲ zNAND-O 结构示意 三种 zNAND 各有专长，针对不同的应用负载，代表着 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。 相关阅读： 《 固态硬盘未来可扩展至 PB 容量：SK 海力士介绍 AIN Family 产品组合 》

  • 情报分类：服务器与云资源
  • 分类依据：内容涉及服务器、云资源或网络线路
  • 信息来源：资讯 / IT之家
  • 发布时间：2026/10/12 13:54:37