IT之家 9 月 20 日闪讯速报，据澎湃新闻今日报道，在 2026 世界制造业大会上， 长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产 。 据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出， 与上一代平台相比提升了 50% 以上 。 基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。 IT之家正在为您整理更细节的内容，本文将在几分钟内得到更新，请您在 App 或浏览器中刷新本文即可。 IT之家闪讯力求最快速播报突发大事件和焦点热点新动态，让您快人一步得到重要消息。

  • 情报分类：硬件与数码
  • 分类依据：内容涉及硬件、数码产品或通信卡
  • 信息来源：资讯 / IT之家
  • 发布时间：2026/9/20 11:56:29