IT之家 10 月 15 日消息，据韩媒 The Elec 今天报道，SK 海力士现已公布 3D FeNAND 实现模拟存内计算（Analog Compute-in-Memory，A-CiM）的研究成果，相关研究已发表于 IEEE 论文。 据介绍，A-CiM 可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算（IT之家注：MAC）， 减少数据搬运 、 提升处理速度和能效 。 3D FeNAND 则利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流。对比之下，传统 3D NAND 采用电荷俘获氮化物（CTN）结构，将电子捕获在氮化物层中。铁电材料的特点是，即使外部电场消失，其内部极化状态仍能保持。 SK 海力士表示，FeNAND 可在单个存储单元内产生多种电流状态， 适合 AI 计算所需的权重数据 。

  • 情报分类：技术学习与提效
  • 分类依据：内容涉及技术、AI、软件工具或工程实践
  • 信息来源：资讯 / IT之家
  • 发布时间：2026/10/15 19:05:48